一、碳化硅在充电桩领域的渗透加速
碳化硅功率器件在充电模块中的应用已经从旗舰产品延伸到主流产品。碳化硅MOSFET相比传统硅基IGBT——开关损耗降低30%-50%——充电模块的效率可以提升1-2个百分点。在全球范围内碳化硅衬底和外延的产能持续扩大——碳化硅器件的成本在逐年下降。
碳化硅模块在充电桩中的渗透率从去年到今年显著提高。在产品性能和成本曲线的交叉点上——碳化硅正在从高端选项变为中高端产品的标准配置。
二、国内外碳化硅产能扩张动态
国内主要功率半导体厂商在2026年上半年密集宣布碳化硅扩产计划。多家企业的碳化硅生产线进入产能爬坡阶段——预计全年出货量将大幅增长。国际头部厂商也在加速布局中国市场——碳化硅器件的供应链本土化程度在提升。
三、碳化硅对充电桩性能的提升
碳化硅模块带来充电桩效率提升的同时——模块的体积和散热需求也有所降低。同等功率下碳化硅模块的体积可以比硅基模块缩小——充电桩整机的小型化和轻量化成为可能。
四、氮化镓的潜在竞争
氮化镓是另一种宽禁带半导体材料——在中低功率段具有与碳化硅竞争的实力。氮化镓器件的开关频率比碳化硅更高——适合高频化的应用场景。当前在中大功率充电桩领域——碳化硅依然是主力。
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